发明专利已授权

一种可用于单向光学隐身的多层电介质结构

📄 申请号：CN202110985778.2 📄 发布日：2026/08/24

著录项目信息

申请日

2021-08-26

公开号

CN113552733A

公开日

2021-10-26

申请人

湖北科技学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G02F1_00

IPC 分类号

G02F1_00

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

军事隐身防护, 光学器件设计, 信息安全, 光通信系统

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摘要

本发明提供了一种可用于单向光学隐身的多层电介质结构，属于光学隐身器件技术领域。多层电介质结构包括两个呈宇称‑时间对称分布的Thue‑Morse(图厄‑摩尔斯，T‑M)序列，T‑M序列SN的迭代规则为：S1＝A，N＝1；S2＝AB，N＝2；SN＝SN‑1(A→AB，B→BA)，N≥3，其中SN‑1中的A→AB表示A由AB代替，B→BA表示B由BA代替，N表示序列的序号，SN表示序列的第N项；A为第一电介质层；B为第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不等的均匀电介质薄片，当某波长值的入射光从一侧入射，通过多层电介质结构反射后的反射光强为零，而该波长的光波从另一侧入射时，反射光强不为零，从而实现该波长值的入射光的单向隐身；改变增益‑损耗因子可实现对隐身波长的调控。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于二元Rudin-Shapiro光子晶体对的多信道光子滤波器

当前第 / 件

一种改进型低能耗单线圈磁流变阀

同领域国内专利 · IPC: (G02F1_00)

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