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发明专利
已授权
一种基于非晶CoNiFe的多层磁芯膜及其制备方法
📄 申请号:CN202210264598.X
📄 发布日:2026/04/10
著录项目信息
申请日
2022-03-17
公开号
CN114678185B
公开日
2023-01-10
申请人
电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01F10_13
IPC 分类号
H01F10_13
,
H01F41_18
,
C23C14_08
,
C23C14_16
,
C23C14_35
,
C22C45_04
,
技术画像
所属领域
非晶合金
非晶合金
软磁材料
多层膜结构
应用场景
电感器, 变压器, 高频电子器件, 磁性传感器, 电磁干扰抑制
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摘要
一种基于非晶CoNiFe的多层磁芯膜,由非晶CoNiFe磁性层和CoNiFeO氧化绝缘层交替溅射得到;所述非晶CoNiFe磁性层是采用Co(65~68)Ni(12~14)Fe(18~23)合金作为靶材,在溅射功率为0.1~0.5W/cm2、溅射气压为0.02~1.2Pa的条件下采用磁控溅射方法得到的;所述CoNiFeO氧化绝缘层是通过通入氧气,将非晶CoNiFe磁性层氧化得到的。本发明采用特定比例的靶材与磁控溅射的工艺参数共同作用下,得到了非晶薄膜。与现有的添加非磁性元素形成非晶薄膜的方式相比,更加有利于获得高的饱和磁化强度和高的各向异性场,利于磁芯膜在高频下的应用。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20230110
✅ 授权
20220715
?? 实质审查的生效 :
20220628
📄 公开
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