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一种基于非晶CoNiFe的多层磁芯膜及其制备方法

Name: 一种基于非晶CoNiFe的多层磁芯膜及其制备方法
Brand: 电子科技大学
SKU: 202210264598X
Availability: InStock

📄 申请号：CN202210264598.X 📄 发布日：2026/04/10

著录项目信息

申请日

2022-03-17

公开号

CN114678185B

公开日

2023-01-10

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01F10_13

IPC 分类号

H01F10_13 , H01F41_18 , C23C14_08 , C23C14_16 , C23C14_35 , C22C45_04 ,

技术画像

所属领域

非晶合金非晶合金软磁材料多层膜结构

应用场景

电感器, 变压器, 高频电子器件, 磁性传感器, 电磁干扰抑制

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摘要

一种基于非晶CoNiFe的多层磁芯膜，由非晶CoNiFe磁性层和CoNiFeO氧化绝缘层交替溅射得到；所述非晶CoNiFe磁性层是采用Co(65～68)Ni(12～14)Fe(18～23)合金作为靶材，在溅射功率为0.1～0.5W/cm2、溅射气压为0.02～1.2Pa的条件下采用磁控溅射方法得到的；所述CoNiFeO氧化绝缘层是通过通入氧气，将非晶CoNiFe磁性层氧化得到的。本发明采用特定比例的靶材与磁控溅射的工艺参数共同作用下，得到了非晶薄膜。与现有的添加非磁性元素形成非晶薄膜的方式相比，更加有利于获得高的饱和磁化强度和高的各向异性场，利于磁芯膜在高频下的应用。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230110

✅ 授权

20220715

?? 实质审查的生效：

20220628

📄 公开

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