发明专利 已授权

一种基于非晶CoNiFe的多层磁芯膜及其制备方法

📄 申请号:CN202210264598.X 📄 发布日:2026/04/10

著录项目信息

申请日
2022-03-17
公开号
CN114678185B
公开日
2023-01-10
申请人
电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

电感器, 变压器, 高频电子器件, 磁性传感器, 电磁干扰抑制

摘要

一种基于非晶CoNiFe的多层磁芯膜,由非晶CoNiFe磁性层和CoNiFeO氧化绝缘层交替溅射得到;所述非晶CoNiFe磁性层是采用Co(65~68)Ni(12~14)Fe(18~23)合金作为靶材,在溅射功率为0.1~0.5W/cm2、溅射气压为0.02~1.2Pa的条件下采用磁控溅射方法得到的;所述CoNiFeO氧化绝缘层是通过通入氧气,将非晶CoNiFe磁性层氧化得到的。本发明采用特定比例的靶材与磁控溅射的工艺参数共同作用下,得到了非晶薄膜。与现有的添加非磁性元素形成非晶薄膜的方式相比,更加有利于获得高的饱和磁化强度和高的各向异性场,利于磁芯膜在高频下的应用。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20230110
✅ 授权
20220715
?? 实质审查的生效 :
20220628
📄 公开

同领域国内专利 · IPC: (H01F10_13)

H01F10_12 H01F10_13 H01F10_20 覆盖3个领域
议价
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:68 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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