发明专利已授权

一种宽频低涡流损耗的人工导体

📄 申请号：CN202010390086.9 📄 发布日：2026/04/27

著录项目信息

申请日

2020-05-11

公开号

CN111554463B

公开日

2021-09-24

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01F1_00

IPC 分类号

H01F1_00 , H01F1_147 , H01L23_66 , C23C14_35 , C23C14_16 , C23C14_02 ,

技术画像

所属领域

电磁超材料电磁超材料人工电磁结构导电材料

应用场景

天线系统, 微波通信, 电磁屏蔽, 无线充电, 雷达系统

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摘要

一种宽频低涡流损耗的人工导体，属于射频器件及集成电路技术领域。所述人工导体为金属薄膜层和铁磁薄膜层交替层叠形成的金属薄膜层/(铁磁薄膜层/金属薄膜层)n的周期性多层膜结构，其中，第1～n/2层铁磁薄膜层的材料为铁磁材料A，第(n/2+1)～n层铁磁薄膜层的材料为铁磁材料B。本发明通过采用两种不同的铁磁材料作为铁磁薄膜层，形成非对称的结构，使得该人工导体可以在较宽的频带范围内获得涡流损耗的抑制。本发明人工导体考虑了在较低频率下抑制涡流损耗的同时，还能够在更宽频带范围内有涡流抑制效果，解决了低频补偿下抑制频带窄的问题，在射频器件及集成电路中具有很大的应用前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210924

✅ 授权

20200911

?? 实质审查的生效：

20200818

📄 公开

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