发明专利已授权

一种具有NP堆叠漂移区的IGBT

📄 申请号：CN202210479793.4 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2022-05-05

公开号

CN114975592B

公开日

2025-05-23

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10D62_10

IPC 分类号

H10D62_10 , H10D12_00 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件 IGBT结构半导体漂移区

应用场景

电力电子, 新能源发电, 电动汽车, 工业控制, 智能电网

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摘要

本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有NP堆叠漂移区的IGBT。本发明将IGBT的耐压层设置为由N型漂移区(4)和P型漂移区(5)通过上下堆叠的形式，形成NP堆叠漂移区，从而NP叠型漂移区使器件内部形成了一个肖克来(Shockley)二极管结构，此肖克来二极管由一个PNP晶体管(发射极：P+集电极，基极：N型场截止层，集电极：P型漂移区和一个NPN晶体管(发射极：N型载流子存储层，基极：P型漂移区，集电极：N型漂移区构成，从而实现了更好的导通压降与关断损耗的折中关系。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：114 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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