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发明专利
已授权
一种用于负压隔离的全氮化镓集成负压生成电路
📄 申请号:CN202310253043.X
📄 发布日:2025/12/10
著录项目信息
申请日
2023-03-16
公开号
CN116317541B
公开日
2025-08-19
申请人
电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H02M3_07
IPC 分类号
H02M3_07
,
H02M1_00
,
H10D84_40
,
技术画像
所属领域
氮化镓功率器件
氮化镓功率器件
集成电路设计
电源管理电路
应用场景
医疗设备, 新能源汽车, 数据中心, 工业自动化, 通信设备
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摘要
本发明属于半导体功率集成技术领域,特别涉及一种用于负压隔离的全氮化镓集成负压生成电路。本发明包括直流分压电路,脉冲信号产生电路,第一、第二电容充放电电路。直流分压电路用于将直流电压源根据负压隔离需要生成宽电源输入兼容的电压;脉冲信号产生电路用于产生与高压氮化镓器件开关同步的负压电路开关控制信号;第一、第二电容充放电电路用于在控制信号的作用下生成稳定的负向电压。本发明的用于负向隔离的全氮化镓集成负压生成电路能实现负向电压与高压氮化镓功率器件高频开关时的同步跟随,且能根据不同隔离场景在不同的直流电源下灵活生成所需要的稳定负向电压,并完全兼容P‑GaN栅增强型氮化镓功率集成工艺平台。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种基于悬臂梁结构的低频机械式磁电天线
当前第 / 件
一种具有NP堆叠漂移区的IGBT
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