发明专利 已授权

一种半导体材料及其制备方法

📄 申请号:CN202111404027.3 📄 发布日:2026/07/20

著录项目信息

申请日
2021-11-24
公开号
CN113929586B
公开日
2024-04-19
申请人
江苏科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

集成电路, 光电子器件, 功率半导体器件, 传感器, 光伏发电

摘要

本发明公开了一种半导体材料及其制备方法,该半导体材料的结构通式中R=H,Br,Cl或F,即其分子式为C30H48Cl9N3Sb2、C30H45Br3Cl9N3Sb2、C30H45Cl12N3Sb2和C30H45Cl9F3N3Sb2,该半导体材料为晶体结构;该半导体材料的制备方法为将含Sb3+的可溶性化合物和BTAB衍生物混合采用溶液自然挥发溶剂自组装制得材料。本发明公开的半导体材料,热分解温度点相对较高,晶体颗粒均匀;同时其制备工艺简单、易操作、原料来源充足、生产成本低、产率高以及重复性好。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20240419
✅ 授权
20220201
?? 实质审查的生效 :
20220114
📄 公开
议价
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:13 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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