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本发明涉及一种基于循环反馈C单元的三节点翻转自恢复锁存器，包括双循环结构存储模块和四个传输门，双循环结构存储模块由十二个二输入C单元组成，包括第一C单元CE1至第十二C单元CE12；所述四个传输门包括第一传输门TG1至第四传输门TG4；四个传输门的信号输入端均作为锁存器的数据输入端D，所述第五C单元CE5的输出端作为锁存器的数据输出端。本发明可靠性高，可容忍任意三节点翻转并且可自恢复；使用较少MOS管，降低了面积和功耗开销，并且提升了锁存器容忍能力，具有更为优越的性能；具有低延迟性，由于透明模式下，输入端与输入端之间只有一个传输门，所以本发明建立了更为高效的路径，因此传输延迟低。

本发明公开了一种基于忆阻器的阈值电压连续可调整流电路，它包括单片机、整流电路、忆阻器调控电路和上位机Uart串口通信电路。首先，单片机通过Uart串口接收上位机输入的特定阈值电压，并由单片机计算出所需的忆阻器阻值；其次，单片机调控整流电路中反相器的PMOS管，关闭其供电电源，使整流电路停止工作；然后，单片机控制忆阻器调控电路工作，使忆阻器的阻值达到预设值后，由单片机控制忆阻器调控电路停止工作，使忆阻器阻值固定，同时单片机恢复整流电路中反相器的PMOS管供电电源，使整流电路继续对输入信号进行整流；最后，将输出信号返回给单片机进行检测，用于对整流信号的闭环监控，并实现更精确的阈值电压连续可调。

本发明公开了一种带异步置位复位的CMOS混合型边沿忆阻D触发器电路，电路具有非易失的特点并且带有异步置位复位功能。整个电路包括三个模块：前级忆阻D锁存器模块，后级忆阻D锁存器模块以及异步忆阻置位复位模块。前级忆阻D锁存器模块包括MOS管T1、T2、T3、T4和T5，忆阻器M1，电阻R1以及2个CMOS反相器N1和N2；后级忆阻D锁存器模块包括MOS管T6、T7、T8、T9和T10，忆阻器M2电阻R2以及2个CMOS反相器N5和N6；异步忆阻置位复位模块包括忆阻器M3、M4、M5、M6、M7、M8和M9，以及2个反相器N7和N8；还有用于时钟输入的2个CMOS反相器N3和N4。电路利用了Biolek阈值型忆阻器，该模型具有阈值特性以及记忆特性，利用这种忆阻器模型使得整个电路结构简单，响应速度快。