摘要
本发明公开了Co(III)‑Co(II)双核钴单分子磁体及其制备方法和应用,所述所述单分子磁体的化学式为[CoIIICoII(L)(DMAP)3(CH3COO)],其中H4L为N,N’‑双(5‑甲基吡唑‑3‑甲酰)‑1,3‑丙二胺,结构为:DMAP为4‑二甲氨基吡啶,其结构为: 与现有技术相比,本发明具有以下优点:(1)本发明所述Co(III)‑Co(II)双核钴单分子磁体在外加磁场为0.1T下可表现出典型的慢弛豫行为,具有单分子磁体特征,可作为分子基磁性材料在新型高密度信息存储设备(如光盘、硬磁盘等)使用;(2)所述方法工艺安全简单,可控性高,重现性好。