发明专利 已授权

Co(III)-Co(II)双核钴单分子磁体及其制备方法和应用

📄 申请号:CN202111368606.7 📄 发布日:2026/04/17

著录项目信息

申请日
2021-11-18
公开号
CN113956297A
公开日
2022-01-21
申请人
江苏科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

高密度信息存储, 量子计算, 自旋电子学, 磁制冷, 分子电子学

摘要

本发明公开了Co(III)‑Co(II)双核钴单分子磁体及其制备方法和应用,所述所述单分子磁体的化学式为[CoIIICoII(L)(DMAP)3(CH3COO)],其中H4L为N,N’‑双(5‑甲基吡唑‑3‑甲酰)‑1,3‑丙二胺,结构为:DMAP为4‑二甲氨基吡啶,其结构为: 与现有技术相比,本发明具有以下优点:(1)本发明所述Co(III)‑Co(II)双核钴单分子磁体在外加磁场为0.1T下可表现出典型的慢弛豫行为,具有单分子磁体特征,可作为分子基磁性材料在新型高密度信息存储设备(如光盘、硬磁盘等)使用;(2)所述方法工艺安全简单,可控性高,重现性好。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (C07F15_06)

议价
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