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发明专利
已授权
高配位镝单离子磁体及其制备方法和应用
📄 申请号:CN202410878504.7
📄 发布日:2026/08/12
著录项目信息
申请日
2024-07-02
公开号
CN118908984B
公开日
2025-05-13
申请人
南阳师范学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C07F5_00
IPC 分类号
C07F5_00
,
H01F1_42
,
H01F41_02
,
C07F5_02
,
技术画像
所属领域
稀土配合物
稀土配合物
单分子磁体
分子磁性材料
应用场景
高密度信息存储, 量子计算, 自旋电子学, 磁传感器件
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摘要
本发明公开了高配位镝单离子磁体及其制备方法和应用,所述单离子磁体的结构简式为:[Dy(H3L)(C9H6NO)](BPh4)2,与现有技术相比,本发明具有以下优点:(1)本发明所述镝单离子磁体纯度和产率都较高,在零场和外加磁场下都能表现出典型的慢弛豫行为,具有单离子磁体特征,可作为分子基磁性材料在新型高密度信息存储设备(如光盘、硬磁盘等)使用;(2)所述镝单离子磁体在空气中不风化,稳定性好;(3)所述方法工艺安全简单,可控性高,重现性好。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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当前第 / 件
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覆盖
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📋 交易方式:
委托待转让
📌 交易状态:
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