发明专利已授权

一种Er?Se?Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用

📄 申请号：CN201610852807.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-09-26

公开号

CN106229409B

公开日

2019-01-22

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

相变材料相变材料纳米薄膜材料半导体存储材料

应用场景

相变存储器, 半导体存储器件, 数据存储, 光电子器件

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摘要

本发明属于纳米材料技术领域，涉及一种Er‑Se‑Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的薄膜材料由铒、硒、锑三种元素组成，其化学通式为Erx(SeySb100‑y)1‑x，其中0

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种单分散钴氮共掺杂中空碳纳米颗粒的制备方法

当前第 / 件

一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用

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