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| 专利/申请号： | CN201811355455.X | 专利名称： | 用于硅基底的氧化硅刻蚀模板的制备方法、硅基底及应用 |
| 申请日： | 2018-11-14 | 申请/专利权人 | 苏州纳捷森光电技术有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区NW02幢406房屋 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L31/18 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2020-05-22 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN111192934A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 55 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
摘 要：本发明提供了用于硅基底的氧化硅刻蚀模板的制备方法，包括如下步骤：选择一预设图案，预设图案由像素矩阵构成，像素矩阵包括多个像素点组成，每个像素点对应一灰度值；将每个像素点对应的灰度值转化为与像素点位置对应的硅氧化层上单位区域的尺寸；根据所有单位区域的尺寸输出一矢量图形，矢量图形包含所有与预设图案的每个像素点对应的单位区域的形状与尺寸；将矢量图形输入至一激光打标机内，利用矢量图形引导激光打标机的激光束走向，从硅氧化层向硅层方向烧蚀，在硅氧化层上的多个单位区域形成与矢量图形对应的多个凹口，获得氧化硅刻蚀模板。本发明可以在不损失明显的光-电转换的性能的前提下，在硅太阳能电池面板上描绘出任意的灰度图像。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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