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摘 要:本发明公开了一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法,通过设置超声波换能器探头与电磁铁,电磁铁的磁力作用能够增强刻蚀的速率,提高刻蚀孔的垂直性,超声波和磁场耦合作用高深宽比刻蚀硅基,减少表面损伤,降低机械应力,能够有效保证刻蚀的精度以及侧壁的质量,形成合理的高深宽比的硅微通道,保证使用效果,有利于上述基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构在微纳米制造技术领域的推广及应用。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011619697.2 | 专利名称: | 一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法 |
申请日: | 2020-12-30 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道2号大街1158号 |
专利状态: | 授权未缴费 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/263搜分类 微纳米制造 化学刻蚀 半导体制造 芯片制造搜索 |
公开/公告日: | 2021-05-14 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112802739A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |