发明专利已授权

衰减相移掩模版及其制程方法

📄 申请号：CN202011136648.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-10-22

公开号

CN112099308A

公开日

2020-12-18

申请人

泉芯集成电路制造(济南)有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G03F1_32

IPC 分类号

G03F1_32 , G03F1_26 , G03F1_54 , G03F1_80 , G03F1_76 ,

技术画像

所属领域

光刻掩模光刻掩模半导体制造工艺微纳加工

应用场景

集成电路制造, 半导体光刻, 掩模版制备, 深紫外光刻工艺, 芯片制造

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本申请提供一种衰减相移掩模版及其制程方法，涉及半导体制程技术领域。本申请通过提供包括相对设置的第一表面及第二表面的透明基板，接着在透明基板的第一表面上形成遮光膜层，并遮光膜层上蚀刻出用于表示目标掩模图案的图案沟槽，得到待处理掩模结构，而后在待处理掩模结构的与第二表面相背离的表面上沉积生长相移层，最后对生长出的相移层进行蚀刻，使残留的相移层仅附着在图案沟槽的槽壁上，使得到的衰减相移掩模版与传统衰减相移掩模版结构明显不同，无需担心相移层在蚀刻操作下会在不同位置处表现出不同的厚度尺寸，以确保制备出的衰减相移掩模版能够达到预期衰减数值，提升掩模版制备良品率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20250411

✅ 授权

20210105

?? 实质审查的生效：

20201218

📄 公开

一种便于装配的租车用定位装置

当前第 / 件

一种用于水泵管道安装的可调节支撑架

同领域国内专利 · IPC: (G03F1_32)

G03F1_00 G03F1_32 G03F1_38 G03F1_66 G03F1_80 G03F1_82 G03F1_84 覆盖7个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

¥16000.0 元

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：13 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)