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摘 要:本申请提供一种衰减相移掩模版及其制程方法,涉及半导体制程技术领域。本申请通过提供包括相对设置的第一表面及第二表面的透明基板,接着在透明基板的第一表面上形成遮光膜层,并遮光膜层上蚀刻出用于表示目标掩模图案的图案沟槽,得到待处理掩模结构,而后在待处理掩模结构的与第二表面相背离的表面上沉积生长相移层,最后对生长出的相移层进行蚀刻,使残留的相移层仅附着在图案沟槽的槽壁上,使得到的衰减相移掩模版与传统衰减相移掩模版结构明显不同,无需担心相移层在蚀刻操作下会在不同位置处表现出不同的厚度尺寸,以确保制备出的衰减相移掩模版能够达到预期衰减数值,提升掩模版制备良品率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011136648.3 | 专利名称: | 衰减相移掩模版及其制程方法 |
申请日: | 2020-10-22 | 申请/专利权人 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G03F1/32搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2020-12-18 | 转让价格: | 16000.0元 |
公开/公告号: | CN112099308A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |