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| 专利/申请号： | CN202110535594.6 | 专利名称： | 半导体材料、场效应晶体管器件、双极性半导体及应用 |
| 申请日： | 2021-05-17 | 申请/专利权人 | 济南大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 山东省济南市南辛庄西路336号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | C07D471/06 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2022-06-17 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN113264933B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 64 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
摘 要：本发明属于双极性半导体技术领域，公开了半导体材料、场效应晶体管器件、双极性半导体及应用，本发明的半导体材料为具有近距离的强π‑π作用的交叉偶极式分子堆积方式形成的晶体材料；晶体材料由经化学修饰后具有给、受体结构的D‑A‑D型分子AzoO2‑PDI有序排列而成。本发明通过巧妙的分子设计和化学修饰得到D‑A‑D型飞鱼状分子AzoO2‑PDI，分别利用了作为侧基修饰基团的两偶氮酚氧基的弱给电子效应及位阻效应，从分子和晶体材料两个层次，达到了降低能隙、微调前线轨道分布促进电子和空穴的注入，以及形成具有强的π‑π作用的交叉偶极式分子堆积加强PDI核间的波函数重叠和电子耦合，促进电子和空穴的有效传输的双重目的。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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