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摘 要:本实用新型涉及碳化硅晶体生长技术领域,尤其为一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托,包括坩埚盖和坩埚,所述坩埚盖设置在坩埚顶部,所述坩埚盖内部盖壁上固定连接有石墨导热盘,所述石墨导热盘边缘处呈圆周阵列固定设置有金刚石导热凸起,所述石墨导热盘下表面固定连接有石墨安装筒,所述石墨安装筒下端设置有籽晶托盘,所述籽晶托盘上表面固定连接有金刚石安装柱。本实用新型中,通过设置的金刚石安装柱和金刚石导热凸起,通过金刚石安装柱可以减小籽晶托盘中间与边缘之间的温差,保障安装在籽晶托上的籽晶受热均匀,籽晶上面生成的单晶内部应力小,达到实现生成高品质的单晶的目的。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202323377929.X | 专利名称: | 一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托 |
申请日: | 2023-12-12 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B29/36搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 1800.0元 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |