摘 要:本发明公开了一种电子传输层及量子点发光二极管器件的制作方法。所述电子传输层的制作方法包括:在保护性气氛中,使包含锌源、甲基金属化合物、硅醇化合物和溶剂的均匀混合反应体系反应,得到ZnxM1‑xO前驱体,其中,M为来源于甲基金属化合物的金属元素,0 著 录 项:
专利/申请号:
CN201810622589.7
专利名称:
电子传输层及量子点发光二极管器件的制作方法
申请日:
2018-06-15
申请/专利权人
嘉兴纳鼎光电科技有限公司
专利类型:
发明
地址:
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双联路128号3号创业楼3楼东
专利状态:
已下证
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分类号:
H01L51/50搜分类
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公开/公告日:
2019-12-20
转让价格:
面议
公开/公告号:
CN108767132B
交易状态:
等待洽谈
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