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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN202010259647.1 | 专利名称: | 一种双功能钼掺杂硫化钴/氮碳阵列电极的制备方法 |
申请日: | 2020-04-03 | 申请/专利权人 | 谷梁和香(成都)酿酒研究院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 四川省成都市武侯区星狮路818号4栋3单元12层1204号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01M4/86分类检索 电子设备和元器件专利转让搜索 |
公开/公告日: | 2023-11-24 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN220079002U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明提供了一种双功能钼掺杂硫化钴/氮碳阵列电极的制备方法。利用化学浴沉积辅助干燥或预氧化或预硫化获得钴基前驱物阵列结构,随后在钴基前驱物表面生长一层聚多巴胺再吸附钼离子,最后于硫气氛下退火反应。在退火过程中聚多巴胺逐步转变为氮掺杂的碳材料,钴基前驱物与硫蒸气反应成为硫化钴。同时,钼离子由于被聚多巴胺中的氮配位吸附而分散,且位于聚多巴胺表面而与钴元素隔离,硫化过程形成晶态程度高的二硫化钼和硫化钴/二硫化钼接触型结构,进而形成钼掺杂硫化钴/氮碳结构。本发明的技术方案硫化钴/氮碳界面形成的Co‑N‑C键型结构具有良好的ORR及OER性能;此外,钼掺杂硫化钴形成的Co‑O‑Mo和钼掺杂氮碳形成的Mo‑N也分别为OER和ORR高活性中心。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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