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摘 要:本发明提供一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极的制备方法,在基底表面水热生长二硫化钼纳米片阵列;将钴盐溶于挥发非水溶剂,并涂布到二硫化钼纳米片阵列表面,干燥待用;再将样品放在S+NH4Cl气氛中或S+双氰胺气氛中进行硫化钴纳米颗粒的CVD沉积,随炉冷却取出即可。NH4Cl或双氰胺作为刻蚀剂,适量添加有利于减小硫化钴纳米颗粒尺寸,促进二硫化钼和硫化钴的界面接触。所制备的该原位电极具有优异的电催化氢气析出反应(HER)活性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110315443.X | 专利名称: | 二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒阵列电极的制备方法 |
申请日: | 2021-03-24 | 申请/专利权人 | 三峡大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省宜昌市西陵区大学路8号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C25B11/054搜分类 电解水制氢 氢能制备 新能源 清洁能源 储能 能源转化 电池电极搜索 |
公开/公告日: | 2022-05-20 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113061928B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |