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摘 要:本发明公开了一种全无机钙钛矿阻变存储器及其制备方法。所述存储器结构从下至上依次为底电极、阻变层和顶电极。ITO作为底电极,CsPbBr3薄膜作为阻变层,用金属Pt、或Au、或W作为顶电极。制备步骤为将CsPbBr3粉末溶解在DMSO溶液中配制前驱液,用旋涂仪将前驱液旋涂在ITO底电极上,再滴加甲苯作反溶剂,使钙钛矿层快速结晶,并在100~150℃条件下退火10~30min,获得致密的CsPbBr3多晶薄膜。再在CsPbBr3薄膜表面沉积顶电极。该存储器的阻变层由全无机材料制得,制备工艺简单,成本低,通过改变加热温度和加热时间,器件表现出优异的阻变特性及空气热稳定性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810168523.5 | 专利名称: | 一种全无机钙钛矿阻变存储器及其制备方法 |
申请日: | 2018-02-28 | 申请/专利权人 | 湖北大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2020-06-19 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108539012B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |