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摘 要:本发明提供了一种光探测与电致发光双功能集成器件,包括底电极、设置在所述底电极上表面的n型半导体层、设置在所述n型半导体层上表面的i型中间层、设置在所述i型中间层上表面的p型半导体层和设置在所述p型半导体层上表面的顶电极,其中,所述n型半导体层由ZnO微米球形成,所述i型中间层由CsPbBr3形成,所述p型半导体层为Mg掺杂的GaN基片。本发明提供的双功能集成器件实现了高响应度的紫外探测和超纯的绿光发射。本发明利用发光和探测的活性层分离,首次获得了电致发光区域和光响应波段不同的双功能集成器件,有效的避免了发光和探测性能的相互削减,具有巨大的应用潜力。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810166532.0 | 专利名称: | 一种光探测与电致发光双功能集成器件及其制备方法和应用 |
申请日: | 2018-02-28 | 申请/专利权人 | 湖北大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省武汉市武昌友谊大道368号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/02搜分类 光探搜索 |
公开/公告日: | 2020-04-10 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108198814B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |