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摘 要:本实用新型涉及一种具有AlOX保护层的金刚石基MISFET器件,属于半导体器件领域。该器件包括金刚石衬底、源电极、漏电极、栅电极和介质层;在金刚石衬底上表面的两端分别形成源电极和漏电极,在源电极和漏电极之间从下到上依次设置第一介质层AlOX和第二介质层,第二介质层的上表面设置栅电极,第一介质层和第二介质层共同作为MISFET器件的钝化层和栅介质层。本实用新型较好的优化了栅电极介质层沉积质量,对氢终端加以保护作用,并增强了栅介质层在金刚石氢终端上的附着力,避免二维空穴气密度降低、载流子迁移率下降,同时避免了对氢终端的破坏,改善栅电极漏电及阈值电压稳定性,提高生产良品率,提高器件服役寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
著 录 项:
专利/申请号: | CN202020777264.9 | 专利名称: | 具有AlOX保护层的金刚石基MISFET器件 |
申请日: | 2020-05-12 | 申请/专利权人 | 内蒙古工业大学 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 内蒙古自治区呼和浩特市新城区爱民街49号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/423搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2020-10-09 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN211654827U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |