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摘 要:一种制备Al2Cu双相单晶颗粒的方法,其主要是按原子配比Al:Cu=85‑86:14‑15的比例,将Al与Cu的高纯混合粉末利用粉末压片机施加2‑3MPa压力并保持180s,获得预制块体;将制得的预制块体放入氮化硼坩埚中,将氮化硼坩埚、管状石墨炉、石墨片、氮化硼片按相应顺序组装后置于六面顶压机中,压力设置在3‑5GPa之间,峰值温度控制在750‑800℃,保温30min;温度降至450‑500℃时保温1‑2h。本发明具有工艺简单,操作方法确实可行,设备简单等优点,生成单晶颗粒质量好颗粒大的优势,应用广泛。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810609656.1 | 专利名称: | 一种制备Al2Cu双相单晶颗粒的方法 |
申请日: | 2018-06-13 | 申请/专利权人 | 燕山大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B29/52搜分类 C L LED芯片 单晶搜索 |
公开/公告日: | 2020-09-11 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108866632B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |