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摘 要:一种制备Al3V四方相单晶颗粒的方法,所述Al3V四方相单晶颗粒原料的化学成分的原子配比为:Al 84‑86%、V 14‑16%,其制备方法主要是将高纯Al粉、V粉研磨混合均匀后装入硬质合金模具中,在液压压片机中3‑5MPa下加压200‑300s,制得预备块体;将预备块体装入氮化硼坩埚中,与预烘干的管状氧化锆,石墨炉体、氮化硼管、氧化锆片、氮化硼片、叶腊石以及石墨片组装并一同置于六面顶压机中,设定压力为3‑5GPa,加热至1340‑1450℃,保温30‑60min;待降至1100‑1200℃,保温1‑2h。本发明工艺简单、能耗低、效率高、可操作性强,实验设备较为常规,配合单晶X射线衍射仪及相关软件,能够快速准确的解析出单晶结构,为结构分析和性能优化从晶体结构上提供支持。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810609629.4 | 专利名称: | 一种制备Al3V四方相单晶颗粒的方法 |
申请日: | 2018-06-13 | 申请/专利权人 | 燕山大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B29/52搜分类 四 L LED芯片 单晶搜索 |
公开/公告日: | 2018-11-23 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108866631A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |