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一种硅基纳米线太阳电池的制备方法

来源:https://www.shizifang.com  发布日:2025/02/19

摘     要:本发明涉及一种硅基纳米线太阳电池的制备方法,特指利用纳米硅、氧化铝和氧化锌纳米线制备氧化锌/纳米硅nip/氧化铝或氧化锌/纳米硅nip/纳米硅nip/氧化铝结构的纳米线太阳电池,属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明首先在金属衬底或透明导电膜上生长掺杂氧化锌(AZO)纳米线,再利用PECVD方法在AZO纳米线上制备纳米硅层,不同于目前报道的纳米线电池从内至外采用的p-n或pin径向结构,而是形成nip结构或nipnip叠层结构径向纳米线太阳电池;利用原子层沉积(ALD)技术在P型纳米硅层上制备氧化铝(Al2O3)钝化层;利用原子层沉积技术制备制备透明导电薄膜,改善纳米线的电极接触性能,本发明能有效提高了太阳电池的转换效率。

著 录 项: 

专利/申请号: CN201110033027.7 复制 专利名称: 一种硅基纳米线太阳电池的制备方法 复制
申请日: 2011-01-31 申请/专利权人 常州大学
专利类型: 发明 地址: 江苏省常州市武进区滆湖路1号
专利状态: 已下证 查询审查信息 分类号: H01L31/18搜分类   电池 米线搜索
公开/公告日: 2011-08-17 转让价格: 面议
公开/公告号: CN102157617A 交易状态: 等待洽谈   搜索相似专利

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    专利证原件(若授权下证) 专利证原件(若授权下证)

专利法律信息

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