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摘 要:本发明涉及一种硅基纳米线太阳电池的制备方法,特指利用纳米硅、氧化铝和氧化锌纳米线制备氧化锌/纳米硅nip/氧化铝或氧化锌/纳米硅nip/纳米硅nip/氧化铝结构的纳米线太阳电池,属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明首先在金属衬底或透明导电膜上生长掺杂氧化锌(AZO)纳米线,再利用PECVD方法在AZO纳米线上制备纳米硅层,不同于目前报道的纳米线电池从内至外采用的p-n或pin径向结构,而是形成nip结构或nipnip叠层结构径向纳米线太阳电池;利用原子层沉积(ALD)技术在P型纳米硅层上制备氧化铝(Al2O3)钝化层;利用原子层沉积技术制备制备透明导电薄膜,改善纳米线的电极接触性能,本发明能有效提高了太阳电池的转换效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201110033027.7 | 专利名称: | 一种硅基纳米线太阳电池的制备方法 |
申请日: | 2011-01-31 | 申请/专利权人 | 常州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省常州市武进区滆湖路1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/18搜分类 电池 米线搜索 |
公开/公告日: | 2011-08-17 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN102157617A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |