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摘 要:本发明涉及太阳电池,特指利用单晶硅、纳米硅和氧化铝形成异质结径向结构纳米线太阳电池,其电池结构是n型单晶硅/p型纳米硅/氧化铝或n型单晶硅/i型纳米硅/p型纳米硅/氧化铝的电池结构。本发明利用湿法腐蚀工艺在n型单晶硅衬底上制备单晶硅(c-Si)纳米线,采用PECVD方法在单晶纳米线上制备氢化的i型和p型纳米硅(nc-Si:H)薄膜,形成由内至外的c-Si(n)/nc-Si:H(p)或c-Si(n)/nc-Si:H(i)/nc-Si:H(p)径向结构,随后利用ALD技术制备Al2O3层,利用ALD技术制备制备掺铝氧化锌层;最后在n型单晶硅背面真空蒸镀铝电极,并进行快速退火;完成硅基纳米线太阳电池的制备。本发明可以制备高效硅基纳米线太阳电池,而且可以利用低品质的单晶硅材料,从而可以降低电池成本。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201110032963.6 | 专利名称: | 纳米硅/单晶硅异质结径向纳米线太阳电池及制备方法 |
申请日: | 2011-01-31 | 申请/专利权人 | 常州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省常州市武进区滆湖路1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0352搜分类 太阳能 单晶 米线搜索 |
公开/公告日: | 2011-08-17 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN102157577A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |