专利名称：一种具有核壳结构的银纳米线及其制备方法和应用      申请号：2022103736596     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米材料 米线   相似专利 发布日：2025/03/12  
摘要： 本发明公开了一种具有核壳结构的银纳米线及其制备方法和应用，所述银纳米线，包括银纳米线核层和包覆于银纳米线核层外侧的聚合物壳层，且所述聚合物壳层中掺杂有银纳米粒子。所述制备方法为通过共混一步多元醇作为溶剂和还原剂，在PVP和Cl‑离子存在条件下，将银源反应物经液相还原反应制备成银纳米线。本发明制备成本低廉、制备方法简单，掺杂在聚合物壳层中的银纳米粒子诱导强化了纳米线网络导电性随脉冲电压时序变化而变化的行为，具有双脉冲易化，非线性响应，动态衰减特点等忆阻特性，利用银纳米线制备过程中自发掺入PVP层中的银纳米粒子作为银迁移扩散的“岛桥”，能够加快非线性动态衰减速度，提高储备池计算系统的储层规模。

专利名称：一种银负载锌的离子溶液分步组装生长纳米线的合成方法      申请号：2019100174326     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：发明   关键词：纳米材料 米线   相似专利 发布日：2025/03/07  
摘要： 本发明涉及了一种银负载锌的离子溶液分步组装生长纳米线的合成方法，通过对工艺参数的严格控制，确定了获得良好性能的银纳米线的最佳工艺参数。种子与生长溶液的配比对产物的尺寸、形貌和粒径分布等特征起着至关重要的稳定作用。产物为杂质少且能提高产能良率的线径可达10-20nm,长径比可达1000以上纳米银锌线棒。

专利名称：基于光子晶体和纳米线波导的波分模分混合复用器      申请号：201711129678X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：波导 米线   相似专利 发布日：2025/02/19  
摘要： 本发明是一种基于光子晶体和纳米线波导的波分模分混合复用器。其中，二维三角晶格光子晶体滤波器(1)是沿X‑Y平面周期性分布的空气孔型光子晶体平板结构，其基质材料为硅；L3型谐振腔(2)是通过移除三个空气孔形成的；窄波导结构区Ⅰ和Ⅱ均是通过将光子晶体波导一侧的空气孔整体平移构成；纳米线模分复用器(5)的基质为硅，衬底材料为二氧化硅，其采用的是非对称定向耦合结构。利用微腔与波导的耦合效应，实现了对特定频率光波的下载滤波功能。并在此基础上结合了纳米线波导模分复用结构，组合构成混合复用结构。该波分模分混合复用器结构可进一步的级联扩展，能够应用于C+L波段的粗波分(信道间隔为20nm)多模式(>2)复用系统之中。

专利名称：一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器      申请号：2017105331678     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：传感器 米线   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明公开了一种基于金属纳米线/氧化锌纳米材料的紫外光传感器，包含平面型和“三明治”型两种结构。平面型紫外光传感器包括衬底、金属纳米线层、氧化锌纳米材料层；“三明治”结构包含顶电极层。制备时首先在柔性、透明的衬底上通过喷涂沉积一层金属纳米线导电薄膜为基底，然后用溶胶‑凝胶法在掩膜板覆盖的金属纳米线/衬底上生长一层氧化锌的晶种，再采用低温水热法在金属纳米线上生长氧化锌纳米材料层作为活性层，引出电极引线制得器件。本发明提出的紫外传感器的透光度大于50％，在0.5V操作电压下具有良好的灵敏度，而且具有工艺简单，成本低廉，易于大规模制备等特点。

专利名称：一种金纳米线的制备方法      申请号：201910969442X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米材料 米线   相似专利 发布日：2025/02/19  
摘要： 本发明属于纳米材料技术领域，涉及一种金纳米线的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：S1、在反应室腔体内表面预涂覆氢化非晶硅层；S2、在硅衬底上镀金薄膜，然后将样品置于步骤S1的反应室腔体内；S3、对反应室进行加热和抽真空处理，然后通入气体，并施加射频功率激发气体形成等离子体，所述金薄膜经等离子体处理后形成金纳米线。该制备方法简单而且效率高，能实现大规模金纳米线的制备。

专利名称：一种制备锗纳米线的方法      申请号：2019113130152     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 米线   相似专利 发布日：2025/02/19  
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种半导体一维纳米材料的制备方法，具体涉及一种制备锗纳米线的方法。本发明基于等离子体化学气相沉积反应器制备了双层结构薄膜，在氢气等离子体中引入锗烷等离子体，在制备锗纳米线前沉积了一层氢化非晶锗薄膜，并在催化剂颗粒下预镀氢化非晶硅薄膜以防止锗基薄膜被氧化。本发明通过射频等离子化学气相沉积技术，优选以二氧化锡颗粒为催化剂，以锗基薄膜为纳米线生长材料，实现了在低温条件下大规模地制备锗纳米线，制备方法简单且高效，实用性强。

专利名称：一种羟基磷灰石纳米线复合二硫化钼吸附剂的制备方法      申请号：2021100975247     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：复合材料 工业废水处理 米线   相似专利 发布日：2024/12/25  
摘要： 本发明涉及一种羟基磷灰石纳米线复合二硫化钼吸附剂的制备方法，该方法是指：首先将羟基磷灰石纳米线均匀分散于极性溶剂中，形成乳白色悬浮溶液；然后在所述乳白色悬浮溶液中依次加入钼离子和硫化物，经超声溶解并匀速搅拌后转移至聚四氟乙烯内衬的高压釜中反应；经冷却至室温后离心分离，得到黑色产物；最后，所述黑色产物经无水乙醇洗涤、真空干燥，即得珊瑚棒状的羟基磷灰石纳米线复合二硫化钼吸附剂。本发明方法简单、成本低廉，所得吸附剂对Pb2+表现出优异的吸附性能，吸附效率更高，吸附容量更大。

专利名称：一种基于可控微界面消除法处理的MAPbI3网状纳米线及其制备方法和应用      申请号：2019105674499     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米 米线   相似专利 发布日：2024/08/14  
摘要： 本发明涉及一种基于可控微界面消除法处理的MAPbI3网状纳米线及其制备方法和在光电探测器中的应用。所述MAPbI3网状纳米线是利用可控微界面消除法处理得到的。本发明方法有效地消除了MAPbI3网状纳米线中的微界面，实现了高性能和高稳定性的MAPbI3网状纳米线光电探测器的制备，制得的探测器响应度、探测度、响应时间、以及线性检测范围等性能参数与基于MAPbI3单根纳米线或者MAPbI3纳米线阵列所制备的光电探测器的性能相近，在某些方面还要更优。另外，本发明制备过程简单易重复，制备成本低廉，适合大面积大规模工业化生产，为钙钛矿光电器件的商业化发展提供了强大的动力。

专利名称：一种镍纳米线集流体及其制备方法      申请号：2017106952986     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米 米线   相似专利 发布日：2024/08/14  
摘要： 一种镍纳米线集流体，该集流体为泡沫状，且该泡沫状是由镍纳米线组成的三维网络结构。其优点是：①、本发明方法工艺简单可控、且制备过程中镍纳米线的尺寸可控，无需复杂设备和较大能耗，对操作人员要求较低、成本低廉，且易于实现工业化量产；②、本发明方法制备的镍纳米线集流体为三维网络结构，且三维网络结构由镍纳米线构成，为活性物质提供更多的生长表面，有利于提升电极的面积比容量，同时，随着电化学反应的进行，镍纳米线能参与反应，而使得镍纳米线与活性材料原位结合而形成更有利的电子传递路径，大幅提升电极的比容量和循环稳定性等电化学性能。

专利名称：一种导电聚合物包覆的磷化镍纳米线及其制备方法和应用      申请号：2021113975724     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：导电聚合物 纳米 米线   相似专利 发布日：2024/08/14  
摘要： 本发明公开了一种导电聚合物包覆的磷化镍纳米线及其制备方法和应用，属于超级电容器电极材料的技术领域。本发明的制备方法是以去离子水、单质磷、金属镍盐、十六烷基三甲基溴化铵为原材料通过一步水热法制备前驱体材料，再对前驱体材料在冰水混合物环境氛围中进行聚合物包覆过程，最后将包覆了聚合物的磷化镍纳米线材料在氩气或氮气氛围中退火得到最终产物。利用本发明所制得的导电聚合物包覆的磷化镍纳米线作为电极材料的超级电容器，具有较大的比表面积、较高的表面活性位点，比电容大，并且稳定性优异。

专利名称：抗静电银纳米线导电偏光片      申请号：202121209627X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：显示屏 米线   相似专利 发布日：2025/03/13  
摘要： 本实用新型涉及偏光片技术领域，具体的说是抗静电银纳米线导电偏光片，包括保护框，保护框一端设置有凹槽，所述保护框内壁通过连接带啮合连接有偏光片本体，所述连接带顶端设置有拉带，所述拉带粘接在保护框上表面，所述偏光片本体上表面粘接有保护膜，所述保护膜一端设置有拉片，所述偏光片本体包括聚对苯二甲酸二乙酯层，所述聚对苯二甲酸二乙酯层下表面设置有银纳米线层，本实用新型保护框从而能够与对偏光片本体起到保护的作用，防止对偏光片本体在运输的时候，堆积在一起受到损伤，在需要使用偏光片本体的时候，通过用手拉动拉带使连接带从偏光片本体与保护框内壁的连接处拉出来，从而将偏光片本体从保护框内部取出来。

专利名称：一种制备Pb3(PO4)2纳米线薄膜的方法      申请号：2016109408778     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：塑料 纳米 米线   相似专利 发布日：2024/08/05  
摘要： 本发明公开了一种制备Pb3(PO4)2纳米线薄膜的方法。利用电沉积的方法将PbS沉积在电极表面，形成一种载体薄膜，把电极浸入PBS缓冲溶液中，再在恒温水浴锅中生长48~72小时，最后取出电极，电极上就自发地生长上Pb3(PO4)2纳米线薄膜。本发明方法制备过程简单，且所制得的Pb3(PO4)2纳米线薄膜的附着力强，形貌规整，长径比大，直径均一，效率高，成本低，易于大规模生产，在电极材料、传感器和增塑剂等领域有着潜在的应用价值。

专利名称：一种用有机铵盐酸盐辅助制备高长经比银纳米线的方法     申请号：2021106005456     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：化学化工 纳米 米线   相似专利 发布日：2024/07/22  

专利名称：一种银纳米线与金属氧化物复合制备透明导电薄膜的方法      申请号：2021106379878     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：塑料 纳米 米线   相似专利 发布日：2024/07/22  
摘要： 本发明涉及一种银纳米线与金属氧化物复合制备透明导电薄膜的方法，先将银纳米线‑乙醇分散溶液在玻璃基底上进行成膜得到银纳米线薄膜，再在银纳米线薄膜上旋涂金属氧化物前体溶液，然后退火，制备得到银纳米线与金属氧化物复合的透明导电薄膜；银纳米线是将硝酸银‑乙二醇溶液加入至混合溶液中，加热反应后冷却至室温，收集沉淀物得到；混合溶液是将聚乙烯吡咯烷酮‑乙二醇溶液和有机胺盐酸盐‑乙二醇溶液混合得到；银纳米线直径尺寸主要在100～150nm，长度大于80μm；银纳米线与金属氧化物复合的透明导电薄膜的方块电阻为3～17ohm/sq，透过率大于80％。本发明的方法，利用银纳米线与金属氧化物复合制备得到的透明导电薄膜，导电性好、透过率高。

专利名称：一种碲纳米线及其合成方法和用途      申请号：2021106493479     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米 米线   相似专利 发布日：2024/07/15  
摘要： 本发明提供了一种碲纳米线及其合成方法和用途，属于纳米材料的制备技术领域。本发明将碲的前驱物、表面活性剂通过搅拌溶于去离子水或蒸馏水中，然后再加入含还原剂的水溶液，搅拌均匀后对其进行处理得到沉淀物，经洗涤和干燥处理得到碲纳米线。本发明提供的碲纳米线的合成方法绿色环保、简单易行、可实现碲纳米线的大规模制备。

专利名称：一种支持孤波传导的模拟神经纤维的PN微米线      申请号：2021104724731     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 米线   相似专利 发布日：2025/02/12  
摘要： 本发明提供一种支持孤波传导的模拟神经纤维的PN微米线，包括传输线，所述传输线为蚀刻至GaMnAs/GaAs板的耗尽区形成的微米线，所述传输线包括主线和多根分线，多根所述分线的一端均与主线一端连接；多根所述分线的另一端均设有树突连接触点对；所述主线弯折形成多个轴突，且所述主线上设有多个轴突连接触点对；主线与多根分线连接的节点处设有细胞体连接触点对；其中树突连接触点对、轴突连接触点对、细胞体连接触点对和轴突连接触点对均为P‑N电极对，所述P‑N电极对包括P型电极和N型电极，所述P型电极为覆盖有金属薄膜的P型接触面，所述N型电极为覆盖有金属薄膜的N型接触面。本发明具有与神经纤维的高度相似性，且支持孤波传导。

专利名称：一种PN微米线制备方法      申请号：2021104709303     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 米线   相似专利 发布日：2025/02/12  
摘要： 本发明提供一种PN微米线制备方法，所述PN微米线包括微米线、P型接触面和N型接触面，所述方法包括：利用分子束外延生长方法制备PN结样品，并获取P型层厚度、N型层厚度和缓冲层厚度；根据P型层厚度、N型层厚度和缓冲层厚度计算微米线刻蚀深度和N型接触面刻蚀深度；利用湿蚀刻根据微米线刻蚀深度和N型接触面刻蚀深度在PN结样品上刻蚀出微米线和N型接触面；在P型接触面和N型接触面上沉积金属膜。能够制备出带有P型接触面和N型接触面的微米线，制备方法简单异形，制备的PN微米线的电学特性能够达到模拟神经纤维的效果。

专利名称：一种氧化腐蚀去除硅纳米线太阳能电池表面缺陷层的方法      申请号：2012105089667     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：太阳能 米线   相似专利 发布日：2025/02/19  
摘要： 本发明涉及太阳能电池材料和电池制造技术，特指针对利用金属纳米颗粒辅助无电极化学腐蚀方法制备的单晶硅纳米线阵列，本发明先利用第一次干氧氧化工艺，由于硅的干氧氧化速率很低，通过控制氧化时间，可以在硅纳米线上形成一层厚度可控的氧化层；或利用双氧水氧化方法在硅纳米线上形成一层氧化层；随后利用HF腐蚀在硅纳米线表面的氧化硅层，在去除这层氧化硅的同时，就把硅纳米线表面的缺陷层去除了，同时不破坏硅纳米线的形状，该方法可以降低表面电荷复合速率，有效改善硅纳米线的少子寿命，从而提高电池效率。

专利名称：一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法      申请号：2012102583886     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：太阳能 米线   相似专利 发布日：2025/02/19  
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种BiFeO3纳米线太阳能电池的制备方法。利用BiFeO3纳米线结构降低其光学带隙，并提高其对太阳光的吸收，利用Ag纳米线和ITO上电极提高载流子的收集能力，从而达到提高BiFeO3纳米线太阳能电池光电转换效率的目的。

专利名称：一种硅基纳米线太阳电池的制备方法      申请号：2011100330277     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电池 米线   相似专利 发布日：2025/02/19  
摘要： 本发明涉及一种硅基纳米线太阳电池的制备方法，特指利用纳米硅、氧化铝和氧化锌纳米线制备氧化锌/纳米硅nip/氧化铝或氧化锌/纳米硅nip/纳米硅nip/氧化铝结构的纳米线太阳电池，属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明首先在金属衬底或透明导电膜上生长掺杂氧化锌（AZO）纳米线，再利用PECVD方法在AZO纳米线上制备纳米硅层，不同于目前报道的纳米线电池从内至外采用的p-n或pin径向结构，而是形成nip结构或nipnip叠层结构径向纳米线太阳电池；利用原子层沉积（ALD）技术在P型纳米硅层上制备氧化铝(Al2O3)钝化层；利用原子层沉积技术制备制备透明导电薄膜，改善纳米线的电极接触性能，本发明能有效提高了太阳电池的转换效率。