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| 专利/申请号： | CN201711298716.4 | 专利名称： | 一种金属栅功函数变化导致栅电容统计分布的估计方法 |
| 申请日： | 2017-12-08 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省杭州市下沙高教园区 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | G06F17/50 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2018-05-18 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN108052727A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 43 | 所属领域： | 估计专利转让搜索 |
摘 要：本发明涉及金属栅电容统计分布的估计方法。一种金属栅功函数变化导致栅电容统计分布的估计方法，包括如下步骤：通过HSPICE软件，设定相关的变异参数，确定绝对标准偏差的大小，并进行10000次的蒙特卡罗仿真。提取MOSFET器件的栅电容参数C。将数据读取到MATLAB中并应用其统计工具箱，进行概率密度函数和累积概率函数拟合并表征；用假设检验判断统计的正确性。本发明利用密度函数、累计概率函数拟合并表征，使用假设检验判断，能在CMOS器件和电路设计早期，快速精确地预测由于MG‑WFV效应导致实际纳米器件和电路的制造性能变化的统计分布，以减少实际制造集成电路芯片性能的盲目性。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2021/05/14 | 授权 | |
| 2018/06/12 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): G06F 17/50 专利申请号: 201711298716.4 申请日: 2017.12.08 |
| 2018/05/18 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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