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| 专利/申请号： | CN201810465594.1 | 专利名称： | 一种负电容场效应晶体管中抑制随机掺杂效应的建模方法 |
| 申请日： | 2018-05-16 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | G06F30/367 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2021-09-07 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN108416179B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 42 | 所属领域： | 其他专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了一种负电容场效应晶体管中抑制随机掺杂效应的建模方法。该方法提供了NC‑MOSFET的剖面结构，在传统MOSFET的金属栅极上添加一层氧化铪（HfO）作为铁电材料，实现负电容的集成制作。建立了NC‑MOSFET的串联等效电容模型，解析了器件的性能参数与负电容的数学关系，并根据电容分压原理，推导内部栅极的电压，明晰了内部电压放大的机制，通过计算CEQ，IDNC，SSNC和DIBLNC的标准差、偏度和峰度，实现了其抑制RDE效应的原理分析和建模。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2021/09/07 | 授权 | |
| 2018/09/11 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): G06F 17/50 专利申请号: 201810465594.1 申请日: 2018.05.16 |
| 2018/08/17 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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