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| 专利/申请号： | CN201911064878.0 | 专利名称： | 一种硫空位缺陷制备硫化物半导体/金属纳米粒子的方法及其应用 |
| 申请日： | 2019-11-04 | 申请/专利权人 | 商丘师范学院 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 河南省商丘市梁园区平原中路55号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | B01J27/04 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2023-06-23 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN112756000B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 20 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了一种硫空位缺陷制备硫化物半导体/金属纳米粒子的方法，包括以下步骤：（1）制备具有硫空位的硫化物半导体的悬浊液体；（2）制备金属离子前驱体溶液；（3）将具有硫空位缺陷的硫化物半导体的悬浊液体与金属离子前驱体溶液混合；采用上述方法制得的硫化物半导体/金属纳米粒子用于光降解、光解水、光催化还原二氧化碳领域，优先选择光解水；本发明利用硫化物本身存在的缺陷的还原特性，可直接还原金属离子前驱体溶液，在半导体缺陷表面上直接生长金属纳米粒子，不仅起到钝化半导体表面缺陷的作用，还可以使沉积在半导体表面的金属纳米粒子与半导体具有较紧密的界面接触，该方法操作简单，无需外部能量的输入，只需要搅拌即可制备此复合催化剂。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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