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摘 要:本实用新型公开了一种太赫兹窄带吸收装置,属于太赫兹吸收器技术领域,包括依次堆叠的金属衬底、硅介质层、第一二氧化硅介质层、第二二氧化硅介质层和石墨烯层;所述第二二氧化硅介质层内开设有与第一二氧化硅介质层、石墨烯层相通的腔体;通过在石墨烯层表面引起环形电流,分别在第二二氧化硅腔体和硅介质层中产生强烈的磁共振,电磁共振互相作用产生了两个极窄的吸收峰,且第一二氧化硅介质层两侧积累了大量的电荷,同时硅介质层内产生强烈的磁共振,因此在高频波段内产生了一个极窄的完美吸收峰,实现了三通道窄带吸收。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202320337958.4 | 专利名称: | 一种太赫兹窄带吸收装置 |
申请日: | 2023-02-28 | 申请/专利权人 | 南京信息工程大学 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 江苏省南京市江北新区宁六路219号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01Q17/00搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2023-12-01 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN220122111U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |