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摘 要:本发明请求保护一种基于开口环结构的太赫兹窄带吸收器,属于太赫兹技术领域,由若干超材料正方形周期单元呈周期性排列而成,每个超材料正方形周期单元共有三层,由上至下分别是金属图案层、中间介质层、金属反射层,金属图案层紧贴在中间介质层的表面,类似三明治结构,所述金属图案层的形状为开口方环,开口位置为方环的四角,所述中间介质层为正方形;所述太赫兹窄带吸收器在0.402THz处存在一个狭窄的反射倾角,只有很少的能量被反射,且极化转换和透射的能量几乎为0,说明在此频率处实现了较完美的吸收,入射太赫兹波电场与金属图案层结构之间存在电偶极谐振。本发明提出了一种能够实现高吸收率和高品质因数的太赫兹窄带吸收器。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010700036.6 | 专利名称: | 一种基于开口环结构的太赫兹窄带吸收器 |
申请日: | 2020-07-20 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01Q17/00搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
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日期 | 法律信息 | 备注 |