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| 专利/申请号： | CN202010700036.6 | 专利名称： | 一种基于开口环结构的太赫兹窄带吸收器 |
| 申请日： | 2020-07-20 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01Q17/00 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 19 | 所属领域： | 其他专利转让搜索 |
摘 要：本发明请求保护一种基于开口环结构的太赫兹窄带吸收器，属于太赫兹技术领域，由若干超材料正方形周期单元呈周期性排列而成，每个超材料正方形周期单元共有三层，由上至下分别是金属图案层、中间介质层、金属反射层，金属图案层紧贴在中间介质层的表面，类似三明治结构，所述金属图案层的形状为开口方环，开口位置为方环的四角，所述中间介质层为正方形；所述太赫兹窄带吸收器在0.402THz处存在一个狭窄的反射倾角，只有很少的能量被反射，且极化转换和透射的能量几乎为0，说明在此频率处实现了较完美的吸收，入射太赫兹波电场与金属图案层结构之间存在电偶极谐振。本发明提出了一种能够实现高吸收率和高品质因数的太赫兹窄带吸收器。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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