发明专利已授权

一种基于开口环结构的太赫兹窄带吸收器

Name: 一种基于开口环结构的太赫兹窄带吸收器
Brand: 重庆邮电大学
SKU: 2020107000366
Availability: InStock

📄 申请号：CN202010700036.6 📄 发布日：2026/07/20

著录项目信息

申请日

2020-07-20

公开号

CN111817023B

公开日

2022-03-22

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01Q17_00

IPC 分类号

H01Q17_00 , H01Q15_00 , G02B5_00 ,

技术画像

所属领域

太赫兹技术太赫兹技术超材料结构光学吸收器件

应用场景

太赫兹通信, 太赫兹成像, 光谱检测, 太赫兹传感

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摘要

本发明请求保护一种基于开口环结构的太赫兹窄带吸收器，属于太赫兹技术领域，由若干超材料正方形周期单元呈周期性排列而成，每个超材料正方形周期单元共有三层，由上至下分别是金属图案层、中间介质层、金属反射层，金属图案层紧贴在中间介质层的表面，类似三明治结构，所述金属图案层的形状为开口方环，开口位置为方环的四角，所述中间介质层为正方形；所述太赫兹窄带吸收器在0.402THz处存在一个狭窄的反射倾角，只有很少的能量被反射，且极化转换和透射的能量几乎为0，说明在此频率处实现了较完美的吸收，入射太赫兹波电场与金属图案层结构之间存在电偶极谐振。本发明提出了一种能够实现高吸收率和高品质因数的太赫兹窄带吸收器。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220322

✅ 授权

20201110

?? 实质审查的生效：

20201023

📄 公开

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