发明专利已授权

一种高性能封装辐射吸收体

📄 申请号：CN202110797645.2 📄 发布日：2025/12/15

著录项目信息

申请日

2021-07-14

公开号

CN113451784B

公开日

2022-06-21

申请人

海宁利伊电子科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01Q17_00

IPC 分类号

H01Q17_00 , H01Q15_00 ,

技术画像

所属领域

电磁波吸收材料电磁波吸收材料功能复合材料电磁屏蔽材料

应用场景

电子封装防护, 电磁干扰屏蔽, 微波暗室, 雷达隐身, 通信设备

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摘要

本发明公开了一种高性能封装辐射吸收结构。包含多个紧密排列的周期单元结构，每个周期单元结构主要由一个谐振单元、一层有耗介质层和一层金属背板依次层叠构成，谐振层与金属背板分别位于有耗介质层的两侧；所述周期单元结构包括顶层谐振单元、有耗介质层和底层金属背板；谐振单元主要由一层介质层和两层金属层以及连接两层金属层之间的金属过孔组成，其中两层金属层分别贴于介质层两表面；金属过孔穿过介质层将两层金属层电连接。本发明适用于抑制封装器件在特定频点辐射的吸收，具有极佳的角度稳定性，在设计频点具有良好的辐射吸收能力，从而增加反射损耗，提升封装器件EMI收益。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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