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摘 要:本发明涉及量子点技术领域,尤其是涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。量子点发光二极管的制备方法,包括如下步骤:当量子点发光层沉积后,于70~80℃处理3~5min后,于150~300℃热处理2~30s。本发明通过在量子点发光层沉积后,于特定温度下进行快速热处理,能够避免常规热处理带来的热损伤,同时能有效去除界面残留的溶剂,降低电子传输层与量子点发光层的接触角,提升界面质量,尤其是量子点发光层和电子传输层之间的界面成膜质量,从而能够提高量子点发光二极管的性能并延长使用寿命。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010459188.1 | 专利名称: | 量子点发光二极管及其制备方法 |
申请日: | 2020-05-27 | 申请/专利权人 | 合肥福纳科技有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 安徽省合肥市新站区新蚌埠路与魏武路交叉口佳海工业城G91栋 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L51/56搜分类 量子点材料 发光器件 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 2022-12-02 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111584767B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |