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摘 要:一种优化发光二极管的方法,属于发光二极管领域。发光二极管包括阳极、衬底、空穴传输层、量子点发光二极管、电子传输层以及阴极,其中,电子传输层为金属氧化物材料。在电子传输层中,利用具有活泼的氮元素或氧元素的有机分子在作为电子传输层的基体的金属氧化物材料表面形成氢键,并抑制羟基与羟基脱水缩合反应。其中,有机分子包括N,N‑二甲基苯胺、二苯甲酮或N‑乙烯基吡咯烷酮;其中,金属氧化物材料是纳米颗粒;有机分子和纳米颗粒状态的金属氧化物材料是以共混方式存在于电子传输层。上述方法能够优化发光二极管中的电子和空穴的复合平衡,从而改善其效率和寿命。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011343695.5 | 专利名称: | 一种优化发光二极管的方法 |
申请日: | 2020-11-25 | 申请/专利权人 | 合肥福纳科技有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 安徽省合肥市新站区新蚌埠路与魏武路交叉口佳海工业城G91栋 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H10K71/12搜分类 量子点材料 发光器件搜索 |
公开/公告日: | 2023-04-18 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112420971B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |