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摘 要:一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构,其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构,各层的厚度分别为:下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm、上电极50-200nm;其制备方法中氧化钒薄膜由射频溅射法制备,在氧化钒薄膜上通过磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铝薄膜。本发明的优点是:该阻变存储器采用氧化钒/氧化铝叠层结构,具有两次reset现象,可以获得3个阻态:低阻态、中间阻态和高阻态,每个阻态之间有10倍以上的阻值比;此外还具有良好的保持性和重复性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201310271571.4 | 专利名称: | 基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法 |
申请日: | 2013-07-01 | 申请/专利权人 | 天津理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2015-09-30 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN103311435B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2015/09/30 | 授权 | |
2013/10/23 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 45/00 专利申请号: 201310271571.4 申请日: 2013.07.01 |
2013/09/18 | 公开 |