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摘 要:本发明公开了一种基于β‑Ga2O3/NSTO异质结可零功耗工作的日盲紫外光电探测器及其制备方法,具体是指采用磁控溅射在NSTO单晶衬底上生长高结晶度的β‑Ga2O3薄膜作为光敏层,再在其上溅射直径为3mm的半透明Au/Ti电极作为透光电极,并采用机械力分别压印直径约为0.2mm和2mm的In电极作为上电极和下电极,制备获得的β‑Ga2O3/NSTO异质结日盲紫外光电探测器。本发明首次采用商业化的NSTO单晶衬底与β‑Ga2O3薄膜形成异质结结构用于日盲紫外光的探测,该异质结器件可工作于0V偏压下,具有零功耗工作的特点。本发明中β‑Ga2O3薄膜的生长采用商业化的磁控溅射方法,制备过程简单,工艺可控性强,易操作,所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好等优势。该发明制备的零功耗β‑Ga2O3/NSTO异质结光电探测器在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610782045.8 | 专利名称: | 基于β‑Ga |
申请日: | 2016-08-30 | 申请/专利权人 | 浙江理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市江干经济开发区白杨街道2号大街928号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/109搜分类 SE 光电探测搜索 |
公开/公告日: | 2017-07-28 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106229373B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |