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| 专利/申请号： | CN201711020720.4 | 专利名称： | 一种氧化镓相结纳米柱阵列及其制备方法 |
| 申请日： | 2017-10-27 | 申请/专利权人 | 浙江理工大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街928号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | C30B7/10分类检索 阵列 纳米专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 2020-06-02 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN107841785B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：本发明涉及一种氧化镓相结纳米柱阵列及其制备方法，包括衬底，位于衬底上的Ga2O3籽晶层，位于Ga2O3籽晶层背离衬底层方向的有序的Ga2O3相结纳米柱阵列，所述Ga2O3纳米柱阵列由α‑Ga2O3和β‑Ga2O3构成相异质结构成。本发明通过在衬底上覆盖一层氧化镓籽晶层，利用水热法在籽晶层上生长GaOOH纳米柱阵列，并进行400℃脱水形成α‑Ga2O3纳米柱阵列，通过高温快速退火处理的方式在α‑Ga2O3纳米柱的周围形成一层β‑Ga2O3，获得α‑Ga2O3/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列。本发明的制备方法操作简单、成本低、重复性好，纳米柱阵列分布均匀、直径和长度可控；通过构建α/β‑Ga2O3相结，在界面处形成第二类型的能带排列，能使载流子(电子空穴对)快速、有效的分离，同时纳米柱阵列具有高比表面积的优势，可应用于深紫外光电器件。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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