发明专利已授权

一种晶体生长过程高宽比控制方法

📄 申请号：CN201910729345.3 📄 发布日：2026/04/02

著录项目信息

申请日

2019-08-08

公开号

CN110359081A

公开日

2019-10-22

申请人

江南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B7_08

IPC 分类号

C30B7_08 , C30B29_14 ,

技术画像

所属领域

晶体生长技术晶体生长技术晶体材料制备晶体形貌控制

应用场景

半导体单晶制造, 人工晶体生长, 光电晶体制备, 激光晶体生产, 蓝宝石衬底制造

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摘要

本发明公开了一种晶体生长过程高宽比控制方法，属于生产过程控制领域。晶体生长系统包括生长装置、控制装置和基于视觉的尺寸检测装置。直流伺服电机带动载晶架顺时针旋转、停止、逆时针旋转、停止，循环运行。旋转停止时通过视觉系统在线检测晶体的尺寸，调节载晶架顺时针和逆时针旋转圈数、速度、停止时间，对生长晶体的高宽比进行控制，使成品晶体的高宽比接近1:1。本发明方法提高了大尺寸磷酸二氢钾晶体的质量。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240119

?? 专利权的转移：

20210219

✅ 授权

20191115

?? 实质审查的生效：

20191022

📄 公开

基于快速扫描循环伏安技术检测汞离子的电化学生物传感器的制备方法及其应用

当前第 / 件

一种晶体生长过程中生长溶液浓度的在线检测方法

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¥12900.0 元

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：42 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

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