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摘 要:本发明公开了一种晶体生长过程高宽比控制方法,属于生产过程控制领域。晶体生长系统包括生长装置、控制装置和基于视觉的尺寸检测装置。直流伺服电机带动载晶架顺时针旋转、停止、逆时针旋转、停止,循环运行。旋转停止时通过视觉系统在线检测晶体的尺寸,调节载晶架顺时针和逆时针旋转圈数、速度、停止时间,对生长晶体的高宽比进行控制,使成品晶体的高宽比接近1:1。本发明方法提高了大尺寸磷酸二氢钾晶体的质量。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910729345.3 | 专利名称: | 一种晶体生长过程高宽比控制方法 |
申请日: | 2019-08-08 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B7/08搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 15000.0元 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |