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摘 要:本发明公开了一种适用于照明应用的量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管由底到顶依次包括基底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、顶电极或由底到顶依次包括基底、底电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层、顶电极;量子点发光层为核壳结构,量子点发光层由壳层包覆核层而成;壳层的材料为xZnSe、xZnSemS1‑m、xZnnCd1‑nSe、xZnnCd1‑nSemS1‑m中的一种,x表示层数,15>x>1,1>m>0.5,1>n>0.5;核层的材料为CdSe、CdyZn1‑ySe、CuInSe2、CuInSeyS1‑y、ZnCuInSe、ZnCuInS、ZnCuInSeyS1‑y、CdyZn1‑ySekS1‑k中的一种,1>y>0,1>k>0。本发明能够降低空穴传输层和量子点发光层之间的能级势垒,从而提高了最高效率下量子点发光二极管的亮度,使得量子点发光二极管在高亮度下具有高外量子效率,达到了照明要求。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810424618.9 | 专利名称: | 一种适用于照明应用的量子点发光二极管及其制备方法 |
申请日: | 2018-05-07 | 申请/专利权人 | 河南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河南省开封市明伦街85号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L51/50搜分类 灯具 发光二极管 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 2019-11-29 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108630817B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/11/29 | 授权 | |
2018/11/02 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 51/50 专利申请号: 201810424618.9 申请日: 2018.05.07 |
2018/10/09 | 公开 |