发明专利已授权

一种Zn:Ga₂O₃薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法

📄 申请号：CN201610837110.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-09-21

公开号

CN106409963B

公开日

2018-06-15

申请人

浙江理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_09

IPC 分类号

H01L31_09 , H01L31_0264 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件光电子器件宽禁带半导体材料

应用场景

紫外探测, 火焰监测, 导弹预警, 环境监测, 光通信

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摘要

本发明公开了一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法，具体是指以c面蓝宝石单晶为衬底，采用磁控溅射生长沿着晶面择优生长的Zn掺杂β‑Ga2O3薄膜(Zn:Ga2O3)作为光吸收层，并在其上溅射Au/Ti叉指电极作为光生载流子的收集电极，制备获得的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器。本发明通过Zn掺杂提高了Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器的光响应速度，采用在Ga2O3靶材起辉圈周围放置特定数量的Zn颗粒生长特定浓度Zn:Ga2O3薄膜，方法简单。本发明采用商业化的制备方法磁控溅射生长薄膜，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好。该发明制备的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

用于稀相气力输送的平板闸阀

当前第 / 件

一种适用于离心泵不同汽蚀区域的防汽蚀补气装置

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