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摘 要:本发明公开了一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法,具体是指以c面蓝宝石单晶为衬底,采用磁控溅射生长沿着晶面择优生长的Zn掺杂β‑Ga2O3薄膜(Zn:Ga2O3)作为光吸收层,并在其上溅射Au/Ti叉指电极作为光生载流子的收集电极,制备获得的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器。本发明通过Zn掺杂提高了Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器的光响应速度,采用在Ga2O3靶材起辉圈周围放置特定数量的Zn颗粒生长特定浓度Zn:Ga2O3薄膜,方法简单。本发明采用商业化的制备方法磁控溅射生长薄膜,工艺可控性强,易操作,所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好。该发明制备的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610837110.2 | 专利名称: | 一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法 |
申请日: | 2016-09-21 | 申请/专利权人 | 浙江理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市江干区下沙白杨街道2号大街5号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/09搜分类 塑料 Zn 光电探测搜索 |
公开/公告日: | 2018-06-15 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106409963B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |