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摘 要:本发明涉及太阳能电池材料和电池制造技术,特指针对利用金属纳米颗粒辅助无电极化学腐蚀方法制备的单晶硅纳米线阵列,本发明先利用第一次干氧氧化工艺,由于硅的干氧氧化速率很低,通过控制氧化时间,可以在硅纳米线上形成一层厚度可控的氧化层;或利用双氧水氧化方法在硅纳米线上形成一层氧化层;随后利用HF腐蚀在硅纳米线表面的氧化硅层,在去除这层氧化硅的同时,就把硅纳米线表面的缺陷层去除了,同时不破坏硅纳米线的形状,该方法可以降低表面电荷复合速率,有效改善硅纳米线的少子寿命,从而提高电池效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201210508966.7 | 专利名称: | 一种氧化腐蚀去除硅纳米线太阳能电池表面缺陷层的方法 |
申请日: | 2012-12-04 | 申请/专利权人 | 常州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省常州市武进区滆湖路1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/18搜分类 太阳能 米线搜索 |
公开/公告日: | 2016-04-13 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN103022247B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |