发明专利已授权

一种图案化4H-SiC纳米阵列薄膜及其制备方法和光电探测器件

📄 申请号：CN202210994780.0 📄 发布日：2026/06/26

著录项目信息

申请日

2022-08-18

公开号

CN115632085B

公开日

2025-06-27

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10F71_00

IPC 分类号

H10F71_00 , H10F30_21 , H10F77_1226 , H01L21_3063 , H01L21_306 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

光电探测器半导体材料纳米材料光电器件光电探测器

应用场景

光电探测, 紫外探测, 光通信, 传感器, 半导体器件

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摘要

本发明提供一种图案化4H‑SiC纳米阵列薄膜及其制备方法和光电探测器件，将4H‑SiC晶片进行p型掺杂，并干法氧化，得到覆盖有氧化层的4H‑SiC晶片；将聚苯乙烯微球溶液旋涂在覆盖有氧化层的4H‑SiC晶片上，加热使聚苯乙烯微球缩小并自组装形成单层膜，蒸镀沉积金，去除聚苯乙烯微球，得到具有金纳米图案的4H‑SiC晶片；将其与铜板接触作为阳极，在三电极系统中外加脉冲电流对具有金纳米图案的4H‑SiC晶片进行刻蚀处理，在晶片上形成图案化4H‑SiC纳米线阵列薄膜，剥离图案化4H‑SiC纳米线阵列薄膜。本发明制备出有序的、图案化的纳米线阵列薄膜，缺陷少，经图案化后具有较高的分辨率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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