专利名称：一种基于AZO电极的正型QLED器件及其制备方法      申请号：2019104864797     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子元器件 L LED芯片 LED器件 电子设备和元器件 QLED   相似专利 发布日：2023/12/13  
摘要： 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于AZO电极的正型QLED器件及其制备方法。本发明通过将AZO替代ITO作为正型QLED器件的阳极材料，通过射频磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌AZO透明电极，并对溅射功率和溅射压强进行优化，最终制备得到基于AZO电极的QLED器件，本发明中AZO透明导电薄膜材料来源丰富、廉价且无毒，AZO电极的功函数高达5.0 eV左右，有利于降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率。本发明中最终制备得到的基于AZO电极的QLED器件的参数中，最大亮度为102500 cd/m2，最大电流效率为51.75 cd/A，最大外量子率（EQE）为12.94%。

专利名称：一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法      申请号：2019108914812     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：LED 器件 LED器件 QLED   相似专利 发布日：2023/12/13  
摘要： 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法。本发明通过将V2O5的前驱体溶液和PEDOT:PSS混合制备V2O5‑PEDOT:PSS溶液并将其旋涂在铝掺杂氧化锌AZO透明电极上形成薄膜作为混合空穴注入层，制备得到混合空穴注入层QLED器件，并对所制备的QLED器件性能进行检测。通过试验测定，所述QLED器件构筑过程重复性良好，最大电流效率的平均值为55.51 cd/A，标准偏差为2.59 cd/A，所述QLED器件的寿命为9051 h，与未引入V2O5，即只具有PEDOT:PSS空穴注入层的QLED器件相比，提高了3.15倍。

专利名称：一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正型QLED器件      申请号：2019108914761     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：LED 器件 LED器件 QLED   相似专利 发布日：2023/12/13  
摘要： 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正置型QLED器件及其制备方法。本发明通过在V2O5中掺杂Ti制备Ti‑V2O5溶液，将Ti‑V2O5溶液旋涂于ITO基片上，形成薄膜层作为正置型QLED器件的空穴注入层，并对掺杂比例、旋涂时的转速以及臭氧时间进行优化，制备得到基于Ti掺杂V2O5空穴注入层的QLED器件，并对所制备的QLED器件性能进行检测。所述QLED器件由于掺杂Ti可以使V2O5的导带位置下移，降低了空穴注入势垒，有利于空穴注入层中空穴的注入，所制备QLED器件的参数中，最大电流效率为52.28 cd/A，EQE为13.35%。

专利名称：一种复合结构增强的QLED器件及其制备方法      申请号：2019102973253     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：LED 器件 LED器件 QLED   相似专利 发布日：2023/12/13  
摘要： 本发明提供了一种复合结构增强的QLED器件及其制备方法，通过纳米网格结构复合褶皱结构构筑的微纳米结构复合结构来提高正型QLED器件出光效率。构筑复合结构基于纳米压印技术、微贴附技术以及表面等离子体刻蚀技术，包括纳米压印模板的制备以及对转移后的图案再次进行处理。本发明通过纳米压印技术使IPS聚合物作为纳米压印的模板，并通过微贴附技术将模板图案转移至PDMS介质层上，再以此为基础，采用表面等离子体刻蚀技术在玻璃基底上构筑复合结构增强QLED基底出光。本发明的复合结构增强的QLED器件可以拥有最高的亮度与效率，亮度和EQE较常规器件最高均提升了46%；复合结构的构筑方式简单、成本低廉，有利于产业化的推广应用。