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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201910486479.7 | 专利名称: | 一种基于AZO电极的正型QLED器件及其制备方法 |
申请日: | 2019-06-05 | 申请/专利权人 | 河南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河南省开封市明伦街85号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L51/56分类检索 电子元器件 L LED芯片 LED器件 电子设备和元器件 QLED专利转让搜索 |
公开/公告日: | 2019-10-08 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN110311058A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明属于发光二极管技术领域,具体涉及一种基于AZO电极的正型QLED器件及其制备方法。本发明通过将AZO替代ITO作为正型QLED器件的阳极材料,通过射频磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌AZO透明电极,并对溅射功率和溅射压强进行优化,最终制备得到基于AZO电极的QLED器件,本发明中AZO透明导电薄膜材料来源丰富、廉价且无毒,AZO电极的功函数高达5.0 eV左右,有利于降低空穴注入势垒,提高空穴注入效率。本发明中最终制备得到的基于AZO电极的QLED器件的参数中,最大亮度为102500 cd/m2,最大电流效率为51.75 cd/A,最大外量子率(EQE)为12.94%。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |