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| 专利/申请号： | CN201910486479.7 | 专利名称： | 一种基于AZO电极的正型QLED器件及其制备方法 |
| 申请日： | 2019-06-05 | 申请/专利权人 | 河南大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 河南省开封市明伦街85号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L51/56分类检索 电子元器件 L LED芯片 LED器件 电子设备和元器件 QLED专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 2019-10-08 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN110311058A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于AZO电极的正型QLED器件及其制备方法。本发明通过将AZO替代ITO作为正型QLED器件的阳极材料，通过射频磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌AZO透明电极，并对溅射功率和溅射压强进行优化，最终制备得到基于AZO电极的QLED器件，本发明中AZO透明导电薄膜材料来源丰富、廉价且无毒，AZO电极的功函数高达5.0 eV左右，有利于降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率。本发明中最终制备得到的基于AZO电极的QLED器件的参数中，最大亮度为102500 cd/m2，最大电流效率为51.75 cd/A，最大外量子率（EQE）为12.94%。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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