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摘 要:本发明属于发光二极管技术领域,具体涉及一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法。本发明通过将V2O5的前驱体溶液和PEDOT:PSS混合制备V2O5‑PEDOT:PSS溶液并将其旋涂在铝掺杂氧化锌AZO透明电极上形成薄膜作为混合空穴注入层,制备得到混合空穴注入层QLED器件,并对所制备的QLED器件性能进行检测。通过试验测定,所述QLED器件构筑过程重复性良好,最大电流效率的平均值为55.51 cd/A,标准偏差为2.59 cd/A,所述QLED器件的寿命为9051 h,与未引入V2O5,即只具有PEDOT:PSS空穴注入层的QLED器件相比,提高了3.15倍。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910891481.2 | 专利名称: | 一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法 |
申请日: | 2019-09-20 | 申请/专利权人 | 河南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河南省开封市明伦街85号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L51/50搜分类 LED 器件 LED器件 QLED搜索 |
公开/公告日: | 2020-11-17 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110729406B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |