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本发明关于一种金属氧化物薄膜及其制备方法、薄膜晶体管。其中，金属氧化物薄膜的制备方法包括：在设定相对湿度的制备环境中，使金属氧化物前驱液在基片上形成金属氧化物湿膜，并对金属氧化物湿膜进行预退火处理得到预固化金属氧化物薄膜；对预固化金属氧化物薄膜进行等离子处理得到等离子激活的金属氧化物薄膜；对等离子激活的金属氧化物薄膜进行后退火处理得到金属氧化物薄膜。本发明通过制备环境相对湿度与预退火处理温度的相互配合，实现对预固化金属氧化物薄膜毛细流动性和疏松程度的调控，从而在保证甚至进一步扩大等离子激活工艺可调谐范围以及等离子处理对预固化薄膜低温激活效果的基础上，提高金属氧化物薄膜的抗等离子刻蚀损伤能力。

本发明涉及一种蛋清薄膜及可降解有机‑无机薄膜晶体管的制备方法。蛋清薄膜的制备包括蛋清前驱液的制备；基片清洗与表面活化；蛋清薄膜的制备。可降解有机‑无机薄膜晶体管的制备包括醇基高k氧化物前驱液与水基TMOS前驱液的制备；蛋清薄膜的表面活化；醇基高k氧化物薄膜的制备；醇基高k氧化物薄膜的表面活化；水基TMOS薄膜的制备；源、漏电极的制备。本发明一方面获得大面积均匀的高k蛋清薄膜，另一方面借助醇基高k氧化物薄膜提高蛋清薄膜与水基TMOS薄膜间的制备兼容性，实现基于蛋清薄膜‑高k氧化物薄膜‑TMOS薄膜的全溶液可降解有机‑无机薄膜晶体管的制备，该薄膜晶体管展现出生物兼容、可降解、低成本、低温制备，低压驱动、低功耗的特点。

本发明涉及电子材料制备的技术领域，提供了一种石墨烯/黑磷烯复合薄膜晶体管及制备方法。该复合薄膜晶体管是通过先制备氮掺杂石墨烯及氯化重氮苯改性黑磷烯，然后将二者加入去离子水中形成分散液，再将分散液采用交流电泳法在高掺杂硅基片上的源极和漏极之间的沟道中进行沉积，经自然晾干而制得。本发明制得的石墨烯/黑磷烯复合薄膜晶体管结合了石墨烯载流子迁移率高、黑磷烯开关电流比大的优点，并且稳定性好。

本发明涉及电子显示材料的技术领域，提供了一种氧化锌/氧化镍透明薄膜晶体管及制备方法。所述透明薄膜晶体管是以高掺杂硅片为底栅极，以二氧化硅为绝缘层，以氧化锌/氧化镍复合薄膜为半导体沟道材料，以Al为源极和漏极。其中，氧化锌/氧化镍复合薄膜是以六水合硝酸锌、六水合硝酸镍、氨基酸、去离子水组成的前驱体溶液经超声喷雾热解而附着于绝缘层上的。其中，氨基酸为L‑组氨酸或L‑半胱氨酸中的一种。本发明制得的薄膜晶体管的载流子迁移率达到38cm2·V‑1·s‑1以上，并且在正栅偏压应力、负栅偏压应力、自加热应力等电应力作用下均具有良好的稳定性。