一种基于磁表面等离子的太赫兹连续超表面器件及其应用，该器件以电不透明层、介质层、磁化半导体层从上而下依次水平叠加的单向波导为基底，通过连续函数模型调制电不透明层厚度，并在波导中引入金属片阵列形成。本发明还涉及该器件在生成艾里光束中的应用。本发明支持基于磁表面等离子的太赫兹单向传输。本发明可通过调节金属片的高度实现相位调控，还可通过连续函数模型对辐射层的厚度连续调制实现连续振幅调控。与依赖离散结构的超构表面相比，本发明能够降低能量损耗与波前失真，提升波束调控精度与稳定性。依托上述特性，本发明生成了具有自加速、无衍射和自愈性特性的一维有限艾里光束。
📄 2025116132390
📂 G02B27_09
👤 浙江工业大学
📅 2025-11-06
本发明公开了基于磁表面等离子的太赫兹三维单向传输波导，由单向传输区域和拼接在单向传输区域左右两侧结构相同、方向相反的两个人工磁导体层组成；单向传输区域为电不透明介质‑磁化半导体结构，人工磁导体由方形金属棒在电介质背景中周期延拓并置于金属地板上的结构构成；人工磁导体可以替代理想磁导体边界条件支持三维单向传输；本发明提供的波导结构实现了太赫兹波段下基于磁表面等离子的三维单向传输，为此类二维单向波导拓展至三维单向波导提供了解决方案，在非互易器件小型化方面具有重大应用前景。
📄 2025103559646
📂 H01P3_18
👤 浙江工业大学
📅 2025-03-25
本发明公开了一种宽带可调谐太赫兹波吸收器，包括掺杂半导体材料基体，掺杂半导体材料基体表面制作有一层微结构阵列，该微结构阵列包含若干均匀排列的微结构单元，该微结构单元能够响应THz波，所述微结构单元中还设计有矩形波导结构以增加吸收带宽，掺杂半导体材料基体为p型硅材料，掺杂浓度为～0.3×1017/cm3，半导体材料基体厚度为250～300μmm，电阻率为0.5Ω·cm，微结构单元为H型微结构单元，每个H型微结构单元相对几何中心上下、左右均对称，H型微结构单元厚度为53μm，本发明还公开了宽带可调谐太赫兹波吸收器的制作方法，本发明解决了现有技术中存在的太赫兹波器件体积较大、且带宽有限的问题。
📄 2018108127418
📂 H01Q17_00
👤 西安理工大学
📅 2018-07-23
本发明涉及电磁超材料技术领域，具体公开了一种太赫兹超宽带吸收和极化转换双功能电磁超材料及应用，该超材料由多个单元结构进行周期性排列而成；每个单元结构从下至上依次设有金属背板层、第一介质层、极化转换器层、VO2膜层、第二介质层、VO2谐振环层、第三介质层和VO2吸波层。本发明提供的超材料可以克服太赫兹领域超材料功能单一和工作频带较窄等问题。相较于一般的超材料，该超材料可以通过调节VO2的电导率来切换不同的功能，实现超宽带吸收与极化转换。具有在太赫兹隐身、雷达成像、和无线通信领域等领域应用的潜在价值。
📄 2025100416284
📂 H01Q17_00
👤 三峡大学
📅 2025-01-10
一种基于二氧化钒和光导硅的动态可调太赫兹吸波器，属于电磁超材料技术领域。本发明针对目前大多数太赫兹吸波器仅能实现单一窄吸收峰，无法实现动态可调吸收以满足实际需求等问题。超构表面单元由自上而下的五层组成，顶层至底层依次为光导硅内嵌十字和两个四分之一圆环组成的图案层、上层二氧化硅介质层、二氧化钒调控层、下层二氧化硅介质层和金属底板。本发明使用二氧化钒和光导硅活性材料，通过调节温度控制二氧化钒的电导率实现吸波器单/双频带的切换，通过调节光泵浦的强度控制光导硅的电导率变化实现吸收率的调节，具有动态可调吸波特性，在调制、传感和电磁隐身等多功能器件方面有潜在的应用价值。
📄 2024100166689
📂 H01Q17_00
👤 苏州工学院
📅 2024-01-05
本发明公开了一种自旋太赫兹高效发射器，包括衬底，所述衬底的一侧依次堆叠有一维周期性光子晶体、二氧化硅插层和自旋太赫兹源；所述一维周期性光子晶体由多个一维光子晶体基元层叠组成，所述一维光子晶体基元包括氮化硅层和二氧化硅层。本发明通过一维周期性光子晶体与自旋太赫兹源相互作用，在其界面处实现塔姆等离激元的激发，进而实现飞秒激光的高效吸收，理论上飞秒激光吸收率可达100％，从而提升自旋太赫兹的发射效率。此外，由于一维周期性光子晶体的引入，不存在透过自旋太赫兹高效发射器的飞秒激光，省去陶瓷片、硅片等元件的试用，降低系统的体积和复杂度。
📄 2022109174361
📂 H01S1_02
👤 合肥致真光源科技有限公司
📅 2022-08-01
本发明公开了基于类十字型结构多层叠加的宽带太赫兹吸波器，涉及太赫兹吸波器领域，解决了吸波器在宽频段内的吸收效果较差的问题，其技术方案要点是：从下到上依次包括接地层、第一介质层、第一类十字型结构层、第二介质、矩形长条层、第三介质层和第二类十字型结构层；其中，所述第一类十字型结构层和第二类十字型结构层均是由两个相同的椭圆呈90°叠合且椭圆叠合的部分去除构成的。
📄 2023117927428
📂 H01Q17_00
👤 重庆邮电大学
📅 2023-12-25
本发明公开了一种窄带和宽带的太赫兹波吸收器，涉及太赫兹波吸收器技术领域。结构包括：由下至上依次层叠的接地金属层、介质层和金属贴片层，金属贴片层具有向内收缩的T型开口，且所述金属贴片层去除所述T型开口后的剩余部分为对称结构。本发明的太赫兹波吸收器可同时在窄带频率和宽带频段上实现90％的高吸收率，突破了现有技术仅能针对窄带或针对宽带的一方面进行高效吸收的问题，具有广阔的应用前景。
📄 2024111008138
📂 H01Q17_00
👤 重庆邮电大学
📅 2024-08-12
本发明公开了一种太赫兹电磁诱导透明器件，属于太赫兹应用技术领域，太赫兹电磁诱导透明器件包括介质衬底层和设置在所述介质衬底层顶部的金属微结构，所述金属微结构所在表面为所述太赫兹电磁诱导透明器件的正面。所述金属微结构包括在介质衬底层上蒸镀金属金获得的周期性排列的谐振子CSRR和谐振子RSRR，一组谐振子CSRR和谐振子RSRR为一个结构周期，结构周期120‑160μm。所述介质衬底层与所述金属微结构之间集成有石墨烯。所述石墨烯集成在谐振子CSRR裂口所在竖直方向或谐振子CSRR与谐振子RSRR间的裂口所在水平方向。本发明采用上述的一种太赫兹电磁诱导透明器件及其使用方法，可实现对中心频点透过率的动态调控，以及对不同谐振频点的透过率的同时调控。
📄 2023115362220
📂 H01Q15_00
👤 曲阜师范大学
📅 2023-11-17
本发明公开了一种能够实现双波段自旋选择吸收的可调谐THz吸收器，属于THz波段金属与石墨烯相结合的光学超材料技术领域，该可调谐THz吸收器由若干个在XY平面上呈周期性排列的结构单元组成，取所述结构单元的几何中心为O点，过该点的沿水平和竖直方向的两条相互垂直的边为OX轴和OY轴，且垂直于两条边的为OZ轴，每个所述结构单元均由下层的金属板、中间衬底层以及附着在所述中间衬底层上的两条石墨烯片和位于上层的L型金属单元组成。本发明采用上述的一种能够实现双波段自旋选择吸收的可调谐THz吸收器，具有制作简单，可调谐，双波段范围，自旋选择吸收效率高，应用场景广泛等优点。
📄 2024101641393
📂 H01Q17_00
👤 曲阜师范大学
📅 2024-02-05
本发明提供了一种互补型的太赫兹波段超材料传感器。该传感器括介质层和介质层上依附的亚波长金属阵列的超材料，亚波长金属阵列包含被挖空的一个竖直空气条和两个水平空气条，与金属层形成了互补结构。每个所述竖直空气条置于结构单元中心，所述的两个水平空气条分别位于竖直空气条的两侧，右侧空气条相对于左侧水平空气条有向下40-45μm的平移。通过右侧水平空气条的平移，打破了结构的对称性，实现了类EIT效应。又由于互补结构的实现，使其器件的Q值和传感性能大大提高。实现了400GHz-900GHz频率范围内的高灵敏的折射率传感。
📄 2018114443075
📂 G01N21_41
👤 重庆邮电大学
📅 2018-11-29
本发明请求保护一种应用于6G波分复用系统的基于超材料的太赫兹分波器，用于6G波分复用系统的波分复用，属于通信分波器技术领域，该太赫兹分波器由若干相同的超材料单元结构组成，所述超材料单元结构沿着x、y方向周期性排列，超材料单元结构为一正方形结构，边长为P，所述超材料单元结构包括介质层和介质层表面的金属图案层，金属图案层为“一”字型长方体金属线，当两种特定频率的太赫兹波斜入射到超材料分波器表面时，一种频率的太赫兹波透射，而另一种频率的太赫兹波反射，在空间上以不同的路径将两种频率的太赫兹波分开，实现了将0.225THz和0.300THz两个通信窗口的太赫兹波分离。
📄 2020106402757
📂 H01P5_12
👤 重庆邮电大学
📅 2020-07-06
柿子坊 · 知识产权运营
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