发明专利 已授权

一种基于二氧化钒和光导硅的动态可调太赫兹吸波器

📄 申请号:CN202410016668.9 📄 发布日:2026/04/02

著录项目信息

申请日
2024-01-05
公开号
CN117791174B
公开日
2024-09-24
申请人
苏州工学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

太赫兹通信, 太赫兹成像, 雷达隐身, 电磁干扰防护, 传感检测

摘要

一种基于二氧化钒和光导硅的动态可调太赫兹吸波器,属于电磁超材料技术领域。本发明针对目前大多数太赫兹吸波器仅能实现单一窄吸收峰,无法实现动态可调吸收以满足实际需求等问题。超构表面单元由自上而下的五层组成,顶层至底层依次为光导硅内嵌十字和两个四分之一圆环组成的图案层、上层二氧化硅介质层、二氧化钒调控层、下层二氧化硅介质层和金属底板。本发明使用二氧化钒和光导硅活性材料,通过调节温度控制二氧化钒的电导率实现吸波器单/双频带的切换,通过调节光泵浦的强度控制光导硅的电导率变化实现吸收率的调节,具有动态可调吸波特性,在调制、传感和电磁隐身等多功能器件方面有潜在的应用价值。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
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