发明专利已授权

基于磁表面等离子的太赫兹三维单向传输波导

📄 申请号：CN202510355964.6 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2025-03-25

公开号

CN119864622A

公开日

2025-04-22

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01P3_18

IPC 分类号

H01P3_18 , H01P3_16 ,

技术画像

所属领域

太赫兹技术太赫兹技术表面等离激元波导器件

应用场景

太赫兹通信, 6G无线通信, 太赫兹集成电路, 电磁隔离器件, 高速数据传输

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摘要

本发明公开了基于磁表面等离子的太赫兹三维单向传输波导，由单向传输区域和拼接在单向传输区域左右两侧结构相同、方向相反的两个人工磁导体层组成；单向传输区域为电不透明介质‑磁化半导体结构，人工磁导体由方形金属棒在电介质背景中周期延拓并置于金属地板上的结构构成；人工磁导体可以替代理想磁导体边界条件支持三维单向传输；本发明提供的波导结构实现了太赫兹波段下基于磁表面等离子的三维单向传输，为此类二维单向波导拓展至三维单向波导提供了解决方案，在非互易器件小型化方面具有重大应用前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种多设备多任务非侵入式负载识别方法

当前第 / 件

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