发明专利已授权

一种宽带可调谐太赫兹波吸收器及制作方法

Name: 一种宽带可调谐太赫兹波吸收器及制作方法
Brand: 西安理工大学
SKU: 2018108127418
Availability: InStock

📄 申请号：CN201810812741.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-07-23

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01Q17_00

IPC 分类号

H01Q17_00 , G02B5_00 , B81C1_00 ,

技术画像

所属领域

太赫兹技术太赫兹技术电磁超材料吸波材料

应用场景

太赫兹通信, 太赫兹成像, 光谱检测, 电磁屏蔽, 安检安防

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摘要

本发明公开了一种宽带可调谐太赫兹波吸收器，包括掺杂半导体材料基体，掺杂半导体材料基体表面制作有一层微结构阵列，该微结构阵列包含若干均匀排列的微结构单元，该微结构单元能够响应THz波，所述微结构单元中还设计有矩形波导结构以增加吸收带宽，掺杂半导体材料基体为p型硅材料，掺杂浓度为～0.3×1017/cm3，半导体材料基体厚度为250～300μmm，电阻率为0.5Ω·cm，微结构单元为H型微结构单元，每个H型微结构单元相对几何中心上下、左右均对称，H型微结构单元厚度为53μm，本发明还公开了宽带可调谐太赫兹波吸收器的制作方法，本发明解决了现有技术中存在的太赫兹波器件体积较大、且带宽有限的问题。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220603

⏳ 专利实施许可合同备案的生效：

20200804

✅ 授权

20190115

?? 实质审查的生效：

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